五名知情人士称，三星电子计划使用竞争对手SK海力士倡导的芯片制造技术，这家世界顶级存储芯片制造商试图在生产用于驱动人工智能的高端芯片的竞争中迎头赶上。
随着生成式人工智能的日益普及，对高带宽存储器(HBM)芯片的需求激增。但与同行SK海力士(SK Hynix)和美光科技(Micron Technology)不同，三星引人注目的是，它没有与人工智能芯片领导者英伟达(Nvidia)达成任何供应最新HBM芯片的交易。
分析人士和业内观察人士认为，三星电子落后的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电薄膜(NCF)芯片制造技术，而海力士则转向大规模回流模压下填充(mrm - muf)方法来解决NCF的弱点。
不过，据三名直接知情人士透露，三星最近已经下达了用于MUF技术的芯片制造设备的采购订单。
“三星必须采取措施提高HBM(生产)产量……对三星来说，采用MUF技术是一件有点忍辱没有的事情，因为它最终采用了SK海力士最初使用的技术。”
三星表示，其NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于其新的HBM3E芯片。“我们正在按计划开展我们的HBM3E产品业务，”三星在回应路透社有关这篇文章的提问时表示。
文章发表后，三星发表了一份声明，称“有关三星将把MR-MUF应用于其HBM生产的传言是不真实的”。
HBM3和HBM3E是最新版本的高带宽存储芯片，与核心微处理器芯片捆绑在一起，可以帮助处理生成人工智能中的大量数据。
几位分析师表示，三星HBM3芯片的生产收益率约为10%至20%，落后于SK海力士(SK Hynix)，后者的HBM3生产收益率约为60%至70%。
三星驳斥了估计的产量，并表示已获得“稳定的产量”，但没有详细说明。
据一位消息人士透露，三星已经在与包括日本永濑在内的材料制造商进行谈判，以采购MUF材料。但这位知情人士补充说，使用MUF的高端芯片的大规模生产最早可能要到明年才能准备好，因为三星需要进行更多的测试。
上述三位消息人士表示，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。
由于信息不公开，所有消息来源都要求匿名。
英伟达和永濑均拒绝置评。
三星使用MUF的任何举动都将凸显其在人工智能芯片竞争中面临的越来越大的压力。根据研究公司TrendForce的数据，在人工智能相关需求的推动下，HBM芯片市场预计今年将增长一倍以上，达到近90亿美元。
NCF和muf
非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛用于在紧凑的高带宽存储芯片组中堆叠多层芯片，因为使用热压缩薄膜有助于减少堆叠芯片之间的空间。
但随着层数的增加，制造变得复杂，粘合材料也经常出现问题。三星表示，其最新的HBM3E芯片有12个芯片层。芯片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代方案。
SK海力士率先成功转向大规模回流模压下填充技术，成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。
KB证券(KB Securities)分析师杰夫?金(Jeff Kim)表示，SK海力士今年在为英伟达提供的HBM3及更先进的HBM产品上的市场份额估计将超过80%。
美光上个月加入了高带宽存储芯片的竞争，宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用，为后者的H200 Tensor芯片提供动力，该芯片将于第二季度开始发货。
据上述四位消息人士中的一位和另一位知情人士透露，三星的HBM3系列尚未通过英伟达的供货资格。
投资者也注意到了该公司在人工智能芯片竞赛中的挫折，其股价今年累计下跌6%，落后于分别上涨16%和14%的SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)。
周三，SK海力士(SK Hynix)股价收跌1.3%，而三星(Samsung)股价上涨1%，超过大盘0.4%的涨幅。
